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标题: MCU芯片:STM32F215VGT6,STM32F215ZET6,STM32F215ZGT6 [打印本页]

作者: uugivitehuqo 时间: 2024-7-26 12:28
标题: MCU芯片:STM32F215VGT6,STM32F215ZET6,STM32F215ZGT6
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微控制器 MCU STM32F215VGT6 FLASH 100-LQFP 表面贴装微控制器 IC
产品描述
STM32F215VGT6 32 位 MCU 集成了高速存储器（320KB 闪存、48KB SRAM）以及大量增强型 I/O 和外设。
功能
4KB 后备 SRAM
20 个备份寄存器
输入捕获
输出比较
PWM 生成（边缘或中心对齐模式）
单脉冲模式输出
STM32F215ZET6 32 位单核 ARM Cortex-M3 MCU
产品描述
STM32F215ZET6 是基于 Arm® Cortex™-M3 的微控制器，在价格和性能之间实现了前所未有的权衡。该系列的特点是集成度高，具有高达 1Mbyte 的闪存和高达 128Kbyte 的 SRAM，以及以太网 MAC、USB 2.0 HS OTG、摄像头接口、硬件加密支持和外部存储器接口。
功能特点
配备自适应实时加速器（ART Accelerator™）的 Arm 32 位 Cortex-M3 CPU（最大频率 120MHz），允许从闪存、MPU、150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）实现 0 等待状态执行性能。
高达 1M 字节的闪存
512 字节 OTP 存储器
多达 128 + 4K 字节的 SRAM
灵活的静态存储器控制器，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器
LCD 并行接口，8080/6800 模式
STM32F215ZGT6 32 位高性能 ARM Cortex M3 1MB FLASH
产品描述
STM32F215ZGT6 基于高性能 ARM® Cortex®-M3 32 位 RISC 内核，工作频率高达 120 MHz。该系列集成了高速嵌入式存储器（闪存高达 1 Mbyte，系统 SRAM 高达 128 Kbytes）、备份 SRAM 高达 4 Kbytes，以及连接到两条 APB 总线、三条 AHB 总线和一个 32 位多 AHB 总线矩阵的各种增强型 I/O 和外设。
功能特点
1.8 至 3.6V 应用电源+I/O
POR、PDR、PVD 和 BOR
4MHz 至 26MHz 晶体振荡器
内部 16MHz 工厂微调 RC
用于 RTC 的 32kHz 振荡器，带校准功能
带校准的内部 32kHz RC
低功耗模式
睡眠、停止和待机模式
为 RTC、20 × 32 位备份寄存器和可选的 4KB 备份 SRAM 提供 VBAT 电源
多达 17 个定时器
多达 12 个 16 位和 2 个 32 位定时器，频率高达 120MHz，每个定时器最多有 4 个 IC/OC/PWM 或脉冲计数器和正交（增量）编码器输入

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