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标题:
好奇为什么有人说SN580的制程是28nm的大火炉 ?
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作者:
j99950910
时间:
2024-12-26 20:53
标题:
好奇为什么有人说SN580的制程是28nm的大火炉 ?
发现好多人说SN580主控28nm,是个大火炉
但查了下现在主控是Sandisk 20-82-10082-A1 ,上面芯片 Polaris MP16+是台积电 FinEFT 16nm 制程,这与SN770是同主控啊
也看到有更早的测试里出现过A101-000137,但从techpowerup看到20-82-10081-A1、20-82-10082-A1、A101-000137、A101-000138都是SanDisk Polaris Mp16+ ARM 32-bit Cortex-R - TSMC 16nm FinFET 4-Channels (16 CE in total) at 1600 MTps
我没在现场,不知道是否漏掉什么,求在现场的来解惑下
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作者:
s47521975
时间:
2024-12-26 20:54
不了解,但听说硬盘主控目前用先进制程的很少,瓶颈也不在密度上
不过三星的5.0新旗舰用的7nm还是5nm来着,温度表现很优秀,成本也很高就是了
作者:
艾的民
时间:
2024-12-26 20:54
580主要是h桥热,不是主控和颗粒
作者:
Williamdix
时间:
2024-12-26 20:55
不是说sn580是低温盘嘛? 适合笔记本
作者:
Richardkr
时间:
2024-12-26 20:55
以下数据来自wd官网
WDS100T3B0E-00CHF0,PCIe NVMe 1T00,Polaris+, BiCS5 512Gb eX3 2P,M.2 2280,16D,Vulcan,non-SED,WD Blue SN580
WDS100T3X0E-00B3N0,PCIe NVMe 1T00,Polaris+, BiCS5 512Gb eX3 2P,M.2 2280,16D,Vulcan PC SN770,non-SED,WD Black
所以还觉得是低温盘吗,纯纯的谣传罢了
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