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标题: 哈工大激光干涉仪将光刻机供件台的位移分辨率提升15.4倍 [打印本页]

作者: h71460017 时间: 4 天前
标题: 哈工大激光干涉仪将光刻机供件台的位移分辨率提升15.4倍
达到世界顶级DUV和EUV所需的供件台的位移精度测量水平，这个技术不光解决了国产高端DUV的问题，也解决了高端EUV的问题。
话说，原来28nm的国产DUV应用上这个技术后能做出7nm芯片来。
另外，EUV光源样机也取得成功了，得到了中科院前院长的肯定，当然，这只是EUV光刻机关键技术中的一部分，还需要其他各方面的先进技术配合。比如前面所说的供件台所用的激光干涉仪，也是关键技术的一部分。

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作者: Albertkt 时间: 4 天前
实验室与工业量产的区别

作者: katharineqp16 时间: 4 天前
短期能解决14nm和12nm就可以了吧。更高级别的制造不匹配的地方还有不少。

作者: Gaobetinua 时间: 4 天前
从0到1很难，一旦有了1到100就轻松了

作者: 艾的民 时间: 4 天前
经鉴定此大神才是真大神，其他都是在跳大神。

作者: 艾的民 时间: 4 天前
能先把能搞28nm的光刻机量产，就已经解决一半问题了，其他不着急

作者: ibet8my 时间: 4 天前
难怪ASML的老总前几天跳脚了
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作者: ukulelemx 时间: 4 天前
现在短期是14nm，有了14nm芯片保基本不成问题，长期是7nm，有了7nm，麒麟990、麒麟820都可以复活，可以冲击高端芯片

作者: pangzimao 时间: 4 天前
整个体系的问题，不是某个零件突破技术封锁就可以的。就算光学还有机械能突破，还有差距更大的化工体系在等着突破呢

作者: 艾的民 时间: 4 天前
丑国坐不住了

作者: tuawwamb13 时间: 4 天前
还要几年能看到完整的光刻机量产

作者: williamfan 时间: 4 天前
进度怎么样看asml反应就行😁

作者: JoshuaKl 时间: 4 天前
单位里打算两年内全部换成国产机国产系统

作者: Hbzlekh 时间: 4 天前
28.nm解决了就不怕制裁，基本盘稳住了，14nm解决的话中端芯片也解决了，其实28nm解决，国产化后，占领低端市场，他们高端没没利润支持研发了
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作者: j21296682 时间: 4 天前
加油
(, 下载次数: 0) 佩服实干的人

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